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[发明专利]反向导通IGBT-CN201810934187.0在审
发明人： H-G.埃克尔;Q.T.特兰 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及反向导通IGBT。
半导体主体负载端子第一导电类型漂移区晶体管晶体管单元电气连接反向导通功率半导体器件肖特基接触导电类型负载电流分离区地被配置

[发明专利]反向导通IGBT-CN201310248906.0有效
发明人： A.毛德;F.D.普菲尔施;C.舍费尔;D.韦贝尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及反向导通IGBT。一种半导体器件包括第一导电类型的第一发射极区域，与第一导电类型互补的第二导电类型的第二发射极区域，以及布置在半导体本体中的第二导电类型的漂移区域。
向导 igbt

[发明专利]并联反向导通IGBT和宽带隙开关的切换-CN201780070375.7有效
发明人： U.韦姆拉帕蒂;U.施拉普巴赫;M.拉希莫 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K17/12 文献下载
摘要：半导体模块包括与宽带隙MOSFET并联连接的反向导通IGBT，其中，反向导通IGBT和宽带隙MOSFET中的每个包括内部反并联二极管。一种用于操作半导体模块的方法，包括：确定反向导通开始时间，在反向导通开始时间半导体模块开始在相反方向上导通电流，相反方向是内部反并联二极管的导通方向；在反向导通开始时间之后将正栅极信号施加到宽带隙MOSFET；基于反向导通开始时间确定反向导通结束时间，在反向导通结束时间半导体模块结束在相反方向上导通电流；以及在反向导通结束时间之前的消隐时间间隔，将减小的栅极信号施加到宽带隙MOSFET，减小的栅极信号适合于将宽带隙
并联向导 igbt 宽带开关切换

[发明专利]反向导通半导体器件-CN201010175167.3有效
发明人： L·斯托拉斯塔;M·拉希莫;C·冯阿尔克斯;A·科普塔;R·施内尔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供具有电有源区的反向导通半导体器件(200)，其包括在共有晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管。该晶圆(100)的一部分形成具有基极层厚度(102)的基极层(101)。
向导半导体器件

[发明专利]反向导通半导体装置-CN200980144515.6有效
发明人： A·科普塔;M·拉希莫 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：提供一种反向导通半导体装置(200)，它包括共同晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，晶圆(100)的一部分形成具有基层厚度(102)的基层(101)。
向导半导体装置

[发明专利]电力逆转换装置-CN200980142554.2无效
发明人：北原忠幸;褔田志郎;嶋田隆一;矶部高范 -专利权人：莫斯科技株式会社
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：电力逆转换装置(1)具有全桥电路(10)、分流电容器(CP)以及控制电路(20)，控制电路(20)是这样以分流电容器(CP)的静电电容和感应性负载(LD)的电感决定的谐振频率以下的开关频率控制各反向导通型半导体开关(SW1至SW4)的接通/断开状态：当第1反向导通型半导体开关(SW1)和第4反向导通型半导体开关(SW4)是接通状态时，使第2反向导通型半导体开关(SW2)和第3反向导通型半导体开关(SW3)为断开状态，当第1反向导通型半导体开关(SW1)和第4反向导通型半导体开关(SW4)是断开状态时，使第2反向导通型半导体开关(SW2)和第3反向导通型半导体开关(SW3)为接通状态。
电力逆转装置

[发明专利]一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法-CN202111259329.6有效
发明人：曾嵘;陈政宇;吴锦鹏;余占清;杨晨;尚杰 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法，能够模拟驱动器开通关断功能，电路包括：正向导通支路、反向导通支路、门极接线端和阴极接线端；正向导通支路能够正向导通百安培级脉冲电流，导通期间正向维持低阻态；反向导通支路能够在μs级时间内反向导通和关断kA级电流，导通期间反向维持低阻态；正向导通支路和反向导通支路并联，形成第一端点和第二端点；第一端点与门极接线端相连接；第二端点与阴极接线端相连接；门极接线端和阴极接线端分别用于接入驱动器的门极和阴极；其中，正向导通是指电流从所述门极接线端经过所述测试电路流向所述阴极接线端，反向导通是指电流从所述阴极接线端经过所述测试电路流向所述门极接线端。
一种半导体器件驱动器测试电路及其控制方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法-CN201310374240.3有效
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，该制造方法采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。
向导绝缘栅双极型晶体管制造方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管-CN201310374500.7有效
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，其包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。
向导绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]反向导通型半导体装置-CN201910257852.1在审
发明人：仲野逸人;樋口惠一;大泽彰浩 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供一种能够提高散热性能、从而能够通过热破坏耐受量的提高来确保可靠性的反向导通型半导体装置。
平板部半导体芯片二极管部上表面电极主电流通路布线构件晶体管部上表面平行半导体装置反向导通型接合构件散热性能向上表面导电部电连接热破坏正交的电极立起耐受延伸配置

[发明专利]反向导通型半导体装置-CN201510812427.6有效
发明人：曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种反向导通型半导体装置，其能够使阻挡金属层与高浓度阳极层之间的接触面积固定。本发明所涉及的反向导通型半导体装置的特征在于，具有：阳极层(40)及高浓度阳极层(42)，它们形成在二极管(14)的上表面侧；以及钨插塞(54)，其经由阻挡金属层(52)而与阳极层(40)及高浓度阳极层
向导半导体装置

[发明专利]反向导通功率半导体器件-CN201510360418.8有效
发明人： M.拉希莫;M.阿莫德;J.沃贝基;U.维穆拉帕蒂 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：提供反向导通功率半导体器件，包括多个二极管单元和多个GCT单元，每个GCT单元包括：晶闸管阴极电极、晶闸管阴极层、晶闸管基层、漂移层、晶闸管缓冲层、晶闸管阳极层以及晶闸管阳极电极。
向导功率半导体器件

[发明专利]反向导通功率半导体器件-CN201610442461.3有效
发明人： N·洛普希蒂斯;F·尤德雷;U·维穆拉帕蒂;I·尼斯托;M·阿诺德;J·沃贝基;M·拉希莫 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：提供一种反向导通功率半导体。其包括多个二极管单元(312)和多个栅极换流晶闸管(GCT)单元(32)。
向导功率半导体器件

[发明专利]对反向导通IGBT的控制-CN201510994389.0有效
发明人：伊格纳西奥·利扎马;斯特芬·贝尔内特;马蒂·莱蒂宁 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H03K17/60 文献下载
摘要：本发明提供一种控制在包括可控开关部件的串联连接的电路中的反向导通IGBT(RC‑IGBT)部件的方法和设备，其中，可控开关部件中的至少一个是RC‑IGBT，以及另一部件待被控制成导通状态。该方法包括：在RC‑IGBT反向导通期间，在第一时刻(t₁)处对RC‑IGBT的栅极电极施加预触发脉冲，该预触发脉冲对应于接通栅极脉冲；在第二时刻(t₂)处，对串联连接的另一可控开关部件施加用于将该另一可控开关部件控制成导通状态的接通栅极脉冲，以使得预触发脉冲与接通栅极脉冲交叠；以及在延迟时间之后，在第三时刻(t₃)处结束预触发脉冲，该延迟时间是接通栅极脉冲与预触发脉冲交叠的时间段
向导 igbt 控制

[发明专利]功率模块和反向导通IGBT-CN201880014992.X有效
发明人：佐藤茂树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供能够提高具有虚设沟槽栅结构的IGBT的控制性的功率模块和反向导通IGBT。，其在同一芯片内形成有包括虚设沟槽栅极的沟槽栅结构的IGBT(41A)和用于使IGBT(41A)的发射极的过剩载流子回到IGBT(41A)的集电极的续流二极管(5A)；以及用于对IGBT(4A)进行导通/
功率模块向导 igbt

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